Студентка политехнического института представит проект на полуфинале Всероссийского нанотехнологического инженерного конкурса в Москве

           Проект Ксении Крайновой, магистрантки кафедры «Нано- и микроэлектроника» решением Совета экспертов отобран для участия в полуфинале Всероссийского нанотехнологического инженерного конкурса. Конкурс проводит Министерство образования и науки Российской Федерации по поручению Президента Российской Федерации (http://www.rusnano.com/infrastructure/vik-nano).

Тематика проекта Ксении связана с исследованием и разработкой преобразователей давления на основе тонкопленочных гетерогенных структур нанометрового размера. В команде с Ксенией над проектом работает ее сокурсник С. Таишев. Научный руководитель молодых исследователей -  С.В. Гурин является аспирантом, завершает работу над кандидатской диссертацией под руководством д.т.н., профессора Р.М. Печерской.

Ксения Крайнова – заместитель председателя студенческого научного общества ФПИТЭ (http://vk.com/snofpite), научной работой она начала заниматься еще со 2-го курса бакалавриата. В рамках деятельности студенческого научного общества ФПИТЭ Ксения активно участвует во многих конкурсах: недавно она подала работу на Всероссийский конкурс выпускных квалификационных работ, в данный момент готовится к выступлению на конкурсе «УМНИК» в стенах нашего университета.

В период с 26 по 29 октября 2015 г. К. Крайновой предстоит защищать проект в Москве перед серьезными экспертами в области нанотехнологий, организаторы конкурса оплачивают перелет и проживание нашей конкурсантки. Полуфинал Всероссийского нанотехнологического инженерного конкурса состоится в рамках Форума «Открытые инновации», Ксения также  приглашена пройти тренинг в группе «РОСНАНО». Желаем К. Крайновой научных успехов!